В Институте физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН выяснили, что флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах. Об этом сообщается на сайте «Наука в Сибири».
В институте изучили применение мультиграфена (вещества из нескольких слоев графена) во флеш-памяти. Принцип ее действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Помимо этого необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
Эффективность флеш-памяти (время хранения заряда, быстродействие) в свою очередь зависит от величины работы выхода запоминающей среды — энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. Используемый мультиграфен обладает важной особенностью — у него большая работа выхода для электронов, около пяти электронвольт. Из-за этого на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера увеличена и составляет примерно четыре электронвольта. Именно этот эффект был взят в основу исследования.
Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Это дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой. Для сравнения: величина потенциального барьера на границе кремния и оксида кремния составляет только 3,1 электронвольта. По этой причине во флеш-памяти, основанной на хранении заряда в кремниевых кластерах, применяются более толстые туннельный и блокирующий слои, что неизбежно приводит к уменьшению быстродействия. Однако до производства флешек из графена в промышленных масштабах еще далеко — ученые работают только с опытными образцами.
Комментирование разрешено только первые 24 часа.
-2 +0−2 | Керг Арчер | 14:33:48 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Солому на экспорт заготовил? |
-2 +1−3 | Керг Арчер | 14:19:00 29/08/2016 |
Россия, де-факто, находится на пике технологической мысли во многих областях. Другое дело производство. Оно, пока, сильно отстаёт. |
-2 +2−4 | Бен Гроссман | 14:12:32 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Углерод - такой же полупроводник, как кремний или германий, создание р-п перехода на монокристалле углерода было осуществлено еще в 60-е прошлого века. Технологии развиваются, если опубликовали открыто, значит в штатах уже есть опытно-промышленные аналоги, однако. |
-3 +0−3 | Pinya Goffman | 15:34:20 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Ну хоть так. А в РФ все оружие с совецких времен, помыли, покрасили и в - бой. |
-3 +1−4 | Дьякон Андрей | 14:12:06 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Почему же? Делают. Как всегда, по-китайски, но делают |
-3 +2−5 | Дьякон Андрей | 14:02:48 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
у вояк меньше 25 кг не котируется? |
-4 +1−5 | Дьякон Андрей | 14:03:32 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
И скоммуниздят, не волнуйся |
-5 +0−5 | Дьякон Андрей | 14:02:11 29/08/2016 |
Когда дело дойдет до производства - первыми его освоят китайцы |
-28 +3−31 | Иван Иванов | 13:59:45 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
скорее американцы,корейцы,японцы. но не вата в любом случае хера се 5 дизов меньше чем за минуту. скорые выборы дают о себе знать я голосую за едро |