В Институте физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН выяснили, что флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах. Об этом сообщается на сайте «Наука в Сибири».
В институте изучили применение мультиграфена (вещества из нескольких слоев графена) во флеш-памяти. Принцип ее действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Помимо этого необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
Эффективность флеш-памяти (время хранения заряда, быстродействие) в свою очередь зависит от величины работы выхода запоминающей среды — энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. Используемый мультиграфен обладает важной особенностью — у него большая работа выхода для электронов, около пяти электронвольт. Из-за этого на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера увеличена и составляет примерно четыре электронвольта. Именно этот эффект был взят в основу исследования.
Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Это дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой. Для сравнения: величина потенциального барьера на границе кремния и оксида кремния составляет только 3,1 электронвольта. По этой причине во флеш-памяти, основанной на хранении заряда в кремниевых кластерах, применяются более толстые туннельный и блокирующий слои, что неизбежно приводит к уменьшению быстродействия. Однако до производства флешек из графена в промышленных масштабах еще далеко — ученые работают только с опытными образцами.
Комментирование разрешено только первые 24 часа.
0 +0−0 | Pinya Goffman | 15:36:40 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Почему работал? До сих пор работает и работает! |
0 +0−0 | Алексей Кива | 15:27:56 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Потому что на фото ДНК-микрочип. Не имеющий ничего общего со статьёй |
0 +0−0 | Pinya Goffman | 15:27:32 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
тожеть за вЕДРо |
0 +0−0 | Pinya Goffman | 15:26:50 29/08/2016 |
А почему надписи не на русском языке? А? |
0 +0−0 | Алексей Кива | 15:24:00 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
а Крым кормить тогда за шо? А нанимать уёпков для Донбаса за шо? |
0 +0−0 | Василий Сергеев | 15:18:15 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
процы наши эльбрус на уровне интеловских 2006 года |
0 +0−0 | Алексей Кива | 15:12:40 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
это можно как-то увидеть? |
0 +0−0 | Михаил Мутовин | 15:00:27 29/08/2016 |
А открыть завод по произвудству устройств и продавать их под своими брендами слабо? Открыть то открыли, а SSD по прежнему будут от Интел и Микрон. |
0 +0−0 | Alexey Kuznetsov | 14:59:16 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Только те почему-то фигово работают, и они у нас покупают нормальные... |
0 +0−0 | башни зла | 14:58:45 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Да уж! Жертва ЕГЭ. Флешка, которая будет стоять вместо ОЗУ, будет называться ОЗУ. И флешка и ОЗУ - это функциональный блок, а не конструкция. То есть ОЗУ может быть чипом, а может быть набором ламп или набором реле. Закончишь школу тогда поймешь. ______________________________ Да кстати, где на ОЗУ стоит аккумулятор? |
0 +0−0 | Alexey Kuznetsov | 14:57:33 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Это кто? |
0 +0−0 | Alexey Kuznetsov | 14:57:15 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Ну не только вы... :-) |
0 +0−0 | Алексей Кириенко | 14:56:50 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Неужели вражеский танк настолько удивится что сразу зависнет ? ♿ |
0 +1−1 | Алексей Кириенко | 14:47:23 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Ой ту-пой ...нам два раза песню спой . Что не понятного ? 1 Флэшка работает со скоростью ОЗУ (Можно вообще в комп вместо озу ставить аккумуляторы экономить, не перезагружать ОС при включении выключении компа ). 2 Работает значительно дольше обычной потому как надежнее . |
0 +0−0 | Russkij Mir | 14:46:58 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Ты что, в 90-х застрял? Китай уж не тот давно, мальчик. |
0 +0−0 | Nobody Nowhere | 14:43:18 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Судя по оценкам в 3 раза быстрее самой быстрой современной флешки |
0 +0−0 | Константин Гордецкий | 14:40:28 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Чё, голодуха у вас? |
0 +1−1 | Евгений Коршаков | 14:38:59 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Я про Вас речь не веду. Мы таскаем. Кто построил этот завод нам мало интересно, чьи там технологии тоже безразлично. Нечто подобное не могут построить 2/3 стран мира и не особо по этому поводу комплексуют. |
0 +1−1 | Алексей Кириенко | 14:35:13 29/08/2016 |
Главное забыли написать ! Чем графен-флэшка лучше обычной . -------------------------------------- Хранение данных в ней осуществляется за счет изменения сопротивления материала и в отсутствие питания, а быстродействие, по прогнозам, сравнимо с оперативной памятью. При этом число циклов перезаписи окажется значительно больше, а потребление энергии — меньше, чем во флеш-памяти, основанной на инжекции и хранении заряда. -------------------------- |
0 +1−1 | Андреев Максим | 14:33:59 29/08/2016 | ||||||
| ||||||||
Речь в данном конкретном случае о микро\нано электронике |